Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB
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SAMSUNG SSD INTERNO 9100 PRO 4TB PCI-E M.2 NVME R/W 13400/14800 MBS

MZ-VAP4T0BW
SAMSUNG SSD INTERNO 9100 PRO 4TB PCI-E M.2 NVME R/W 13400/14800 MBS
  Politiche per le spedizioni

(modificale nel modulo Rassicurazioni cliente)

  Politiche per la sicurezza

(modificale nel modulo Rassicurazioni cliente)

  Politiche per i resi

(modificale nel modulo Rassicurazioni cliente)

Descrizione
PCIe® 5.0: prestazioni rivoluzionarie
Lo standard PCIe® 5.0 assicura prestazioni di livello assoluto. LSSD 9100 PRO offre una velocità di lettura/scrittura sequenziale praticamente istantanea, con valori fino a 14.800/13.400 MB/s, due volte superiori rispetto al modello 990 PRO. Supera tutti i limiti della Gen4 con una velocità di lettura/scrittura casuale fino a 2.200K/2.600K IOPS, che solo la Gen5 è in grado di offrire.

Svolgi più attività in parallelo con la massima efficienza
Massima velocità per superare ogni limite di produttività. Grazie a una straordinaria velocità di lettura/scrittura casuale è possibile effettuare un'elaborazione parallela ultrarapida di innumerevoli dati frammentati, fino a 2.200K/2.600K IOPS. Questa funzione aumenta la resa e assicura un caricamento istantaneo anche per i giochi più pesanti, le attività ad alte prestazioni e le applicazioni AI.

Crea contenuti in un attimo con lAI
Lintelligenza al servizio delle prestazioni. Abbatti ogni barriera sia nel lavoro che nel tempo libero con un PC AI integrato e con la generazione di contenuti AI, grazie alla straordinaria velocità di lettura/scrittura casuale dellSSD 9100 PRO, fino a 2.200K/2.600K IOPS. Caricamento rapido, massima fluidità di riproduzione e niente più interruzioni.

Prestazioni eccezionali in ogni occasione
Con questo sistema avrai sempre una marcia in più. Grazie alle interfacce PCIe® 5.0 di nuova generazione potrai spaziare liberamente tra diverse attività, modificando video, creando capolavori in 3D e riproducendo contenuti in streaming per ore e ore. Ottieni prestazioni all'avanguardia ovunque, in ogni momento e su qualsiasi dispositivo, e utilizza tutto lo spazio di archiviazione di cui hai bisogno grazie a una capacità incredibilmente ampia, fino a 8 TB.

Straordinaria efficienza termica
Prestazioni di alto livello, senza interruzioni. La configurazione del controller a 5 nm migliora l'efficienza energetica fino al 49% rispetto al modello 990 PRO. L'eccezionale controllo termico garantisce l'assenza di interruzioni nel flusso di lavoro, per far girare anche i programmi più impegnativi con la massima potenza assicurata dallo standard PCIe® 5.0.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Prestazioni di PCIe® 5.0
Velocità sequenziale massima di 14.800/13.400 MB/s, due volte superiore rispetto al modello 990 PRO.

Amplia i tuoi orizzonti
Capacità smisurata e compatibilità eccezionale.

Controllo termico ed efficienza energetica allavanguardia
Efficienza energetica migliorata fino al 49% grazie al controllo termico avanzato.

Samsung 9100 PRO PCIe® 5.0 NVMe™ M.2 SSD - 4 TB. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 14800 MB/s, Velocità di scrittura: 13400 MB/s, Componente per: PC/console di gioco
Capacità SSD
4 TB
Dimensione SSD
M.2
Interfaccia
PCI Express 5.0
NVMe
Tipo memoria
V-NAND TLC
Componente per
PC/console di gioco
criptaggio hardware
Versione di NVMe
2.0
Algoritmi di sicurezza supportati
256-bit AES
Dimensioni dell'unità SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura
14800 MB/s
Velocità di scrittura
13400 MB/s
Lettura casuale (4KB)
2200000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)
2600000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Linee dati dell'interfaccia PCI Express
x4
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)
Supporto S.M.A.R.T.
Supporto TRIM
Tempo medio tra guasti (MTBF)
1500000 h
Tensione di esercizio
3,3 V
Consumo di energia (in lettura)
9 W
Consumo di energia (in scrittura)
8,2 W
Consumo energetico medio (lettura)
9 W
Consumo energetico medio (scrittura)
8,2 W
Consumo energetico (inattivo)
0,007 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa)
5,7 mW
Larghezza
80,2 mm
Profondità
2,38 mm
Altezza
80,2 mm
Peso
9 g
Tipo di imballo
Scatola
Intervallo temperatura di funzionamento
0 - 70 °C
Shock di funzionamento
1500 G
Durata della garanzia
5 anno/i
Dettagli del prodotto
SAMSUNG
MZ-VAP4T0BW

Scheda tecnica

Interfaccia
PCI Express 5.0
Capacità
4000 GB
Formato
M.2
NVMe
Si

Riferimenti Specifici

ean13
8806095811703
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