SAMSUNG SSD INTERNO 990 EVO PLUS 1TB M.2 2280 PCIE 5.0 X2 NVME

Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

Samsung MZ-V9S1T0. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC

Capacità SSD

1 TB

Dimensione SSD

M.2

Interfaccia

PCI Express 4.0

NVMe

Sì

Tipo memoria

V-NAND TLC

Componente per

PC

criptaggio hardware

Sì

Versione di NVMe

2.0

Algoritmi di sicurezza supportati

256-bit AES

Dimensioni dell'unità SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Velocità di lettura

7150 MB/s

Velocità di scrittura

6300 MB/s

Lettura casuale (4KB)

850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Scrittura casuale (4KB)

1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)

Supporto di DevSIp (standby del dispositivo)

Sì

Supporto S.M.A.R.T.

Sì

Supporto TRIM

Sì

Tempo medio tra guasti (MTBF)

1500000 h

Tensione di esercizio

3,3 V

Consumo energetico medio (lettura)

4,3 W

Consumo energetico medio (scrittura)

4,2 W

Larghezza

80,2 mm

Profondità

2,38 mm

Altezza

22,1 mm

Peso

9 g

Intervallo temperatura di funzionamento

0 - 70 °C

Shock di funzionamento

1500 G